• 上半年預告出爐!斯達半導、露笑科技等多家半導體公司業績預增


    近日,半導體上市公司陸續發布2022年半年度業績預增公告。


    2022-07-28

    SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區別


    功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過,如低損耗、高速開關、高溫工作等,顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較,進一步加深對SiC-MOSFET的理解。


    2022-07-28

    英飛凌采訪:第三代半導體與硅器件將長期共存


    相較于傳統的硅材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料,具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強,使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有耐高壓、低導通電阻、寄生參數小等優異特性。


    2022-07-28

    IGBT 功率模塊熱管理研究


    隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發展,在結構和性能上有很大的改進,熱產生問題日益突出,對散熱的要求越來越高,IGBT 芯片是產生熱量的核心功能器件,但熱量的積累會嚴重影響器件的工作性能。


    2022-07-28

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