我國IPM（智能功率模塊）需求不斷增多 市場國產化替代空間大

智能功率模塊(IPM)，是智能化的IGBT功率模塊，是一種先進的混合集成功率器件。IGBT主流產品包括IGBT分立器件、ITBT模塊、IPM三大類。IGBT分立器件結構最為簡單，可靠性較低;IGBT模塊封裝多個IGBT芯片與FWD芯片，適應高壓、大電流電路，可靠性高;IPM功能集成度高，使用簡單，可靠性高。在IGBT市場中，IPM份額占比在30%左右。

2022-07-29

IPM是什么?

IPM是一種先進的功率開關器件，兼有GTR(大功率晶體管)高電流、低飽和電壓和高耐壓的優點，以及MOSFET(場效應晶體管)高輸入阻抗、高開關頻率和低驅動功率的優點。而且IPM內部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路，使用起來方便，不僅減少了系統的體積，縮短了開發時間，也增強了系統的可靠性，適應了當今功率器件的發展方向。

2022-07-29

上半年預告出爐！斯達半導、露笑科技等多家半導體公司業績預增

近日，半導體上市公司陸續發布2022年半年度業績預增公告。

2022-07-28

SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區別

功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。

2022-07-28

英飛凌采訪：第三代半導體與硅器件將長期共存

相較于傳統的硅材料，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有耐高壓、低導通電阻、寄生參數小等優異特性。

2022-07-28

IGBT 功率模塊熱管理研究

隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發展，在結構和性能上有很大的改進，熱產生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT 芯片是產生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會嚴重影響器件的工作性能。

2022-07-28